Laserteknologi er en af de" Four New Inventions" af det 20. århundrede. Det er også den centrale udviklingsretning for fremstillingsrevolutionen i" World Industry 4.0" og" Made in China 2025" ;. Med mit lands' s industriel forarbejdning, biomedicinsk skønhed og højhastighedsoptisk kommunikation Med den hurtige udvikling af industrier som maskinsyn og sansning, laserdisplay og laserbelysning er den indenlandske efterspørgsel efter lasere vokset hurtigt . Laserchippen er en uundværlig kerneenhed til udvikling af laserindustrien og den teknologiske kerne i hele laserindustrikæden. Laserchipindustrien i mit land startede imidlertid sent, og sammenlignet med udenlandske virksomheder er den samlede konkurrenceevne utilstrækkelig. I forbindelse med den flygtige internationale politiske og økonomiske situation og transformationen og opgraderingen af den indenlandske fremstillingsindustri er lokaliseringen af laserchips nært forestående.
Everbright Huaxin har insisteret på uafhængig forskning og udvikling og produktion af high-power laserchips siden etableringen i 2012. 9XXnm 15W, 20W og 25W single-tube chips, der er blevet lanceret successivt, er blevet testet på det industrielle marked for mange år og har opnået udbredt tillid og anerkendelse på markedet.
For at imødekomme markedets efterspørgsel og forbedre udgangseffekten og forholdet mellem pris og effekt mellem laserpumpekilder har Everbright Huaxin lanceret en ny 9XXnm 28W halvlederlaserchip, som har forbedret sine præstationsindikatorer og pålidelighed i høj grad.
01 Performance -indikatorer har nået det internationale avancerede niveau
Forbedre strøm og effektivitet
Udgangseffekten og effektiviteten af halvlederlasere påvirkes hovedsageligt af faktorer som lasertærskel, hældning og overstrøm med høj strøm. Ved at optimere det epitaksiale konstruktionsdesign undgår Changguang Huaxin effektivt høj strømoverførsel og forbedrer den fotoelektriske konverteringseffektivitet.
1. At øge effektiviteten
Normalt ved at reducere dopingkoncentrationen af PN -krydset for at sænke tærsklen og øge hældningen, vil en for lav dopingkoncentration øge PN -krydsets modstand og øge chipspændingen. For at løse problemet med optimal balance af tærskel, hældning og spænding optimerede vi den asymmetriske store optiske hulrumsstrukturbølge, øgede tykkelsen af bølgelederlaget og omhyggeligt designet fordelingen af dopingkoncentration i forskellige områder af PN -krydset til reducere det optiske felt og høj doping. Overlapningen af frie bærere i forureningslåget reducerer absorptionstabet for at sikre, at spændingen stort set forbliver uændret, når tærsklen sænkes, og hældningseffektiviteten forbedres, hvorved chip -effektiviteten forbedres.
2. Undgå høj strømstyrke
Den høje strømbøjning skyldes hovedsageligt faldet i intern kvanteeffektivitet under højstrøminjektion. Ved at optimere materialets energibåndsstruktur nær forstærkningsområdet for laserstrukturen og forbedre PN -krydset' s evne til at injicere elektroner, forbedres kvanteeffektiviteten under højstrøminjektion, og fænomenet med høj strømbøjning undgås effektivt.
Forbedre strålekvaliteten, øg lysstyrken
Changguang Huaxin øger spredningstabet af højordensindstillinger, undertrykker højordens sidetilstande, forbedrer laserchipens strålekvalitet og forbedrer lysstyrken gennem metoden til anti-bølgeleder og mikrostrukturmodifikationsteknik. På nuværende tidspunkt når Changguang Huaxin single-tube chips 95% af den langsomme akse. Energidivergensvinklen er 9 °, og lysstyrken er større end 80MW/cm2sr.
Gennem effektiv behandling og forebyggelse af forskellige påvirkningsfaktorer har enkeltrørschippen uafhængigt udviklet af Changguang Huaxin nået kommerciel effekt på 28W, testkraft nået mere end 30W, langsom akse 95% energidivergensvinkel 9 °, lysstyrke større end 80MW/ cm2sr, effektivitet Nåede 65%, en række præstationsindikatorer nåede det internationale førende niveau.
02 Høj pålidelighed for at imødekomme behovene på det industrielle marked
Mens vi forfølger højere udgangseffekt og konverteringseffektivitet, er opfyldelsen af de højere krav på det industrielle marked for laserliv også retningen for vores utrættelige indsats.
Cavity overfladebehandlingsteknologi er nøglen til at bestemme pålideligheden og industriel anvendelse af højeffektive halvlederlaserchips. Stigningen i laserchips ledsages af stigningen i chipens krydsetemperatur og hulrumsoverfladens optiske effekttæthed, hvilket stiller højere krav til skaderesistensen af hulrumsoverfladen. På grundlag af mange års akkumulering af nøgleteknologier til særlig overfladebehandling af hulrum har Everbright forbedret procesniveauet for uafhængigt forsknings- og udviklingsudstyr, udviklet nye teknologier til overfladebehandling af hulrum, forbedret kontrolkvalitetsniveauet for overfladebehandling af hulrum og forbedret hulrummet overfladens evne til at modstå optisk katastrofal skade, For at sikre, at 28W high-power laserchip opfylder kravene på det industrielle marked for laserens levetid.
